DRAM缺貨將持續蔓延,繼三星18奈米轉換不順,回收模組產品後,近期也傳出美光17奈米製程也不順,恐導致下季供需缺口持續擴大,價格持續看漲,連帶也讓儲存型快閃記憶體(NAND Flash)、編碼型快閃記憶體(NOR Flash )產能同步受到壓縮。
  記憶體業者表示,台廠擁有生產線的南亞科(2408)、華邦電、旺宏,及模組廠的威剛、創見等,將同步受惠,尤其NOR缺口持續擴大,讓NOR晶片雙雄成為市場爭相包產能的對象。
  根據集邦調查,因近年來因DRAM無新增產區,廠商多仰賴製程推進帶動產出位元成長,但整體產能增加有限,加上部分標準型DRAM產能不斷被轉為生產伺服器與手機DRAM用,導致標準型DRAM供需由昔日供給過剩,轉為供不應求。集邦統計,標準型DRAM去年下半年以來漲幅已近60%,光是首季漲幅即逾30%,帶動相關伺服器用、行動式和利基型DRAM等也同步上漲,漲幅在10%~30%不等。
  儘管三星宣布決定增產DRAM,但因新產能至少要二年後才會投入,但稍早三星發生18奈米製程出包,緊急召回10萬條DRAM模組,已沖淡三星增產衝擊。
  但近期稍後也傳出美光自25奈米轉換到17奈米,同樣發生製程轉換不順問題,不過美光昨天表示1x奈米產品本來就計畫第3季小量產出,第4季才會放量,進度可能和分析師預期有出入。
  但法人認為,三星和美光在競逐更先進DRAM製程都遭遇難度增加現象,讓市場原本擔心的價格反轉疑慮消除,預料第2季漲勢仍會明顯,下半年依舊缺貨,價格仍看漲。   業者表示,DRAM漲勢延續,也會進一步壓縮NOR晶片產出更為吃緊,原擔心的20%供應缺口可能還會擴大,讓台廠坐擁NOR供應首位的旺宏和第四的華邦電成為大贏家。<摘錄經濟>

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